aqui va informacion corta
El transistor 2N7000 es un pequeño MOSFET de canal N. El 2N7000 se puede usar para conmutar cargas que operan con menos de 60 V (VDS), 200 mA (ID).Características:Intensidad drenador continua Id: 200 mA Voltaje de drenaje fuente Vds: 60 V Resistencia de activación RDS (on): 1.2 ohms Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V Tensión Umbral Vgs: 2.1 V...
El transistor IRF740 es un MOSFET de canal N. El IRF740 se puede usar para conmutar cargas que operan con menos de 400V (VDS), 10A (ID). Caracterìsticas:Voltaje drenador Fuente Vds: 400v Corriente de dranaje continua:10A Resistencia entre Drenaje y fuente: 55 mOhms Voltaje entre puerta y fuente: 20v Disipacion: 125W Rango de temperatura de trabajo:...
Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como conmutación reguladores, convertidores de conmutación, controladores de motor y controladores de relé. Características:Voltaje drenador Fuente Vds: 100 V Corriente de dranaje continua: 14 A Resistencia entre Drenaje y fuente: 0.16 Ohms Voltaje entre puerta y fuente: 20 V...
Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como conmutación reguladores, convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relé entre otros. Características:Referencia: IRF840 Voltaje drenador Fuente Vds: 500 V Corriente de dranaje continua: 8 A Resistencia entre Drenaje y fuente: 0.85 Ohms Voltaje entre...
Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como conmutación reguladores, convertidores de conmutación, controladores de motor y controladores de relé. Características:Voltaje drenador Fuente Vds: 200 V Corriente de dranaje continua: 18 A Resistencia entre Drenaje y fuente: 0.16 Ohms Voltaje entre puerta y fuente: 20 V...
El IRF510 es el Mosfet de potencia más comun en el mundo de los microcontroladores. ¿Necesitas controlar cargas de alta potencia? te recomendamos este mosfet para tus proyectos, como etapa de potencia final de tu microcontrolador favorito. Características:Voltaje drenador Fuente Vds: 100 V Corriente de drenaje continua: 5.6 A Resistencia entre Drenaje...
Disipador de calor en aluminio para semiconductor de potencia con encapsulado T0220. Caracteristicas:Material: Aluminio Altura: 20mm Ancho: 14.6mm Largo: 9.8mmNota: Se vende por unidad el disipador(sin tornillo y sin mica)
El transistor IRFZ44N es un MOSFET de canal N. El IRFZ44N se puede usar para conmutar cargas que operan con menos de 55 V (VDS), 49A (ID). Caracterìsticas:Voltaje drenador Fuente Vds: 55v Corriente de drenaje continua:49A Resistencia entre Drenaje y fuente:22 mOhms Voltaje entre puerta y fuente: 20v Disipacion: 110W Rango de temperatura de trabajo:...
El MOSFET canal N IRF9530 es un dispositivo semiconductor comúnmente utilizado en circuitos de potencia, inversores, fuentes de alimentación y otros sistemas que requieren control de potencia.Características: Tipo de FET: MOSFETDisipación total del dispositivo (Pd): 79 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20...
El disipador de aluminio es un pequeño componente diseñado para disipar el calor generado por dispositivos electrónicos o componentes semiconductores de tamaño reducido. Características:Material: Aluminio Dimensiones: 9x9x5 (mm)Nota: Se vende por unidad